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【TI MOS管】击穿的原因和方法

作者:未知 发布日期:2019-10-30

【TI MOS管】击穿的原因和方法
 
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将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的?;ご胧?,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。
MOS电路输入端的?;ざ?,其导通时电流容限一般为1mA 在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入?;さ缱?。而129#在初期设计时没有加入?;さ缱?,所以这也是TI MOS管可能击穿的原因,而通过更换一个内部有?;さ缱璧腗OS管应可防止此种失效的发生?;褂杏捎诒;さ缏肺盏乃布淠芰坑邢?,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使?;さ缏肥プ饔?。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。
静电的基本物理特征为:有吸引或排斥的力量;有电场存在,与大地有电位差;会产生放电电流。这三种情形会对电子元件造成以下影响:
1、TI MOS管因瞬间的电场软击穿或电流产生过热,使元件受伤,虽然仍能工作,但是寿命受损。
2、因电场或电流破坏元件绝缘层和导体,使元件不能工作(完全破坏)。
3、元件吸附灰尘,改变线路间的阻抗,影响元件的功能和寿命。
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