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【mosfet】电源管理周边IC MOS管周边IC

作者:未知 发布日期:2019-10-30

 
【mosfet】电源管理周边IC MOS管周边IC
 
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公司紧密结合自身器件与工艺设计方面领先的优势,与国内一流的芯片代工厂、封装测试代工厂保持密切配合与合作,严格控制产品质量,保证产品的优质品质和稳定供货。
mosfet
当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极(source)之间时,电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷,而这时所谓的“反型层”(inversion channel)就会形成。
通道的极性与其漏极(drain)与源极相同,假设漏极和源极是N型,那么通道也会是N型。通道形成后,MOSFET即可让电流通过,而依据施于栅极的电压值不同,可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变。
公司目前专注于电源管理IC,功率半导体器件(MOS管为主)的设计、生产、测试、品质管控、销售与服务。
公司本着诚信的宗旨,致力于提供给客户高性价比的产品、高效及时的交货、专业技术支持等全方位的服务。
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