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【mos晶体管】的性能属性介绍

作者:未知 发布日期:2019-10-30

【mos晶体管】的性能属性介绍
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mos晶体管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
当然一个更简单的器件-MOS电容-能更好的理解mos晶体管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon,他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明。
MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位。
这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小?! ?/div>
当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了,有更多的电子从衬底被拉了上来。同时,空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高,会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子,硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion,反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高,越来越多的电子在表面积累,channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel。当电压差超过阈值电压时,channel就出现了。  
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